Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 1 - 5 из 6491 для dc.subject any/relevant "физика твердого ... ( 0.174 сек.)

1
Ридли, Брайен.
Квантовые процессы в полупроводниках / Б. Ридли ; пер. с англ. И. П. Звягина, А. Г. Миронова. — М.: Мир, 1986. — 304 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 3.00.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
2
Смит, Роберт Аллан.
Полупроводники / Р. Смит ; пер. с англ. под ред. Н. А. Пенина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1982. — 558 с.: ил. — Библиогр.: с. 200-207. — 2.70.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
3
Сердюк, Виктор Васильевич.
Фотоэлектрические процессы в полупроводниках: учеб. пособие для студ. физ. и электрофиз. фак. вузов / В. В. Сердюк, Г. Г. Чемересюк, М. Терек. — Киев; Одесса: Вища школа, 1982. — 151 с.: ил. — Библиогр.: с. 147. — 0.40.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
4
Фридкин, Владимир Михайлович.
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
5
Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / А. В. Ржанов [и др.] ; отв. ред. А. В. Ржанов; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт физики полупроводников. — М.: Наука, 1976. — 279 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.15.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи