Исследование процессов радиационностимулированного взаимного преобразования электронных центров окраски в кристаллах NgP2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Корепанов ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты : Л. В. Григорук, М. А. Эланго; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова, Латвийский государственный университет. — Томск, 1975. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.

Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Вайсбурд ; офиц. оппоненты: К. С. Александров, О. В. Богданкевич, Ч. Б. Лущик; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт физики твердого тела АН СССР (Черноголовка). — М., 1984. — 50 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 45-49.

Комплексное исследование состояния и взаимодействия примесных и собственных дефектов в монокристаллах KCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / У. Шукуров ; науч.рук. А. А. Алыбаков, науч. конс. И. В. Мурин, офиц. оппоненты: А. А. Урусовская, А. Н. Озерной; Институт ядерной физики АН Казахской ССР (Алма-Ата), Фрунзенский политехнический институт. — Алма-Ата, 1987. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.

Наносекундная безызлучательная релаксация энергии электронного возбуждения в лазерных кристаллах, активированных РЗ ионами: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. В. Орловский ; науч. конс. Т. Т. Басиев, офиц. оппоненты: Е. М. Дианов, Е. Ф. Кустов, Ю. П. Тимофеев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова (СПб.). — М., 1998. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-28.

Изменение дислокационной структуры и механических свойств щелочногаллоидных кристаллов в ультразвуковом и электрическом полях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. П. Белозерова ; оппоненты: Е. Ф. Дударев, А. А. Урусовская, В. З. Бенгус; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Костромской технологический институт (Кострома), Донецкий физико-технический институт УАН (Донецк). — Томск, 1992. — 47 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 41-47.