Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 16 - 20 из 4933 для dc.subject any/relevant "физика твердого ... ( 0.174 сек.)

16
Взаимодействие экситонов с лазерным излучением / АН Республики Молдова, Ин-т прикл. физики; редкол. : С. А. Москаленко (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1991. — 173 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-376-00991-2: 3.26.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
17
Джафаров, Таир Джумшуд-оглы.
Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 279-286. — ISBN 5-283-03998-6: 3.30.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
18
Полякова, Анна Леонидовна.
Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Л. Полякова. — М.: Энергия, 1979. — 168 с.: ил. — Библиогр.: с. 160-165. — 0.50.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
19
Фридкин, Владимир Михайлович.
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
20
Орловский, Юрий Владимирович.
Наносекундная безызлучательная релаксация энергии электронного возбуждения в лазерных кристаллах, активированных РЗ ионами: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. В. Орловский ; науч. конс. Т. Т. Басиев, офиц. оппоненты: Е. М. Дианов, Е. Ф. Кустов, Ю. П. Тимофеев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова (СПб.). — М., 1998. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-28.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи