Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 46 - 50 из 8229 для dc.subject any/relevant "физика твердого ... ( 0.351 сек.)

46
Бордовский, Геннадий Алексеевич.
Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл / Г. А. Бордовский, В. А. Извозчиков; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — СПб.: Образование, 1997. — 422 с.: ил. — Библиогр.: с. 391-413. — ISBN 5-233-00324-4: 93.00.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
47
Вавилов, Виктор Сергеевич.
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. — М.: Наука, 1981. — 368 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 367-368. — 2.90.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
48
Вавилов, Виктор Сергеевич.
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. — М.: Наука, 1990. — 216 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 190-212. — ISBN 5-02-014023-6: 3.60.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
49
Экситоны и биэкситоны в полупроводниках: сб. статей / АН МССР, Институт прикладной физики; редкол. : В. А. Москаленко (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1982. — 314 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.10.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
50
Фридкин, Владимир Михайлович.
Фотосегнетоэлектрики / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Алф. указ.: с. 263-264. — Библиогр.: с. 254-262. — 1.70.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи