| 31 |
|
Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников / Б. А. Нестеренко, О. В. Снитко; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова Думка, 1983. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 228-261. — 3.30.
|
| 32 |
|
Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах / Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1983. — 304 с.: ил. — Предм. указ.: с. 296-302. — Библиогр.: с. 270-292. — 3.60.
|
| 33 |
|
Теория твердого тела / У. Харрисон ; пер. с англ. Г. Л. Краско ; под ред. Р. А. Суриса. — М.: Мир, 1972. — 616 с.: ил. — Предм. указ.: с. 610-613. — 6.58.
|
| 34 |
|
Гетероструктура ZnS-GaAs: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Атакова ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1974. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 35 |
|
Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл / Г. А. Бордовский, В. А. Извозчиков; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — СПб.: Образование, 1997. — 422 с.: ил. — Библиогр.: с. 391-413. — ISBN 5-233-00324-4: 93.00.
|