| 1136 |
|
Исследование особенностей прохождения электрического тока в полупроводниках с биполярной анизотропной проводимостью: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Мисьник ; науч. рук. В. А. Чалдышев, офиц. оппоненты : Г. А. Воробьев, Б. А. Успенский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР, Институт полупроводников АН УССР. — Томск, 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.
|
| 1137 |
|
Фотообразование заряженных П- и К-мезонов с парциальными ядерными переходами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.16 / А. А. Сидоров ; науч. рук. В. А. Филимонов, офиц. оппоненты: Ю. П. Ранюк, В. М. Вымятнин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Ереванский физический институт (Ереван). — Томск, 1982. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 1138 |
|
Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 1139 |
|
Скорость хрупкого разрушения щелочногалоидных кристаллов под действием наносекундных импульсов облучения мощными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. И. Геринг ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: В. М. Финкель, Б. В. Семкин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН ЭССР (Тарту). — Томск, 1975. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23.
|
| 1140 |
|
Исследование сжатия тороидального плазменного шнура методом лазерного рассеяния : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / В. К. Гусев ; науч. рук.: Г. М. Малышев, Г. Т. Раздобарин, офиц. оппоненты: В. В. Афросимов, Г. П. Старцев; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Л.), Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова АН СССР. — Л., 1975. — 11 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 11.
|