Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 101 - 105 из 5109 для dc.subject any/relevant "технологии моло ... ( 0.237 сек.)

101
Методы и устройства оптической голографии: сб. науч. тр. / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. — Л.: Физико-технический институт, 1983. — 232 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.36.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
102
Рассеяние и поглощение света в природных и искусственных дисперсных средах / АН БССР, Институт физики им. Б. И. Степанова; под ред. А. П. Иванова. — Минск: Институт физики АН БССР им. Б. И. Степанова, 1991. — 430 с.: ил. — Библиогр. в конце лекций. — ISBN 5-7815-0926-7: 10.69.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
103
Физические основы и прикладные вопросы голографии: темат. сб. / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе; ред. : Г. В. Скроцкий [и др.]. — Л.: ФТИ, 1984. — 231 с.: ил. — Библиогр. в конце тр. — 1.36.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
104
Халин, Михаил Васильевич.
Теория и разработка низкотемпературных композиционных электрообогревателей: дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13, 01.04.14 / М. В. Халин ; науч. конс. В. В. Евстигнеев; Алтайский государственный технический университет им. И. И. Ползунова (Барнаул). — Барнаул, 1998. — 330 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 189-216.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
105
Дубровский, Владимир Германович.
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / В. Г. Дубровский. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2009. — 350 с.: ил. — (Фундаментальная и прикладная физика). — Библиогр.: с. 338-350. — ISBN 978-5-9221-1069-3: 280.00.
В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур. Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III—V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте. Для студентов, бакалавров и аспирантов, специализирующихся в области физики, материаловедения и некоторых других технических дисциплин, а также для ученых и инженеров, желающих глубже понять теоретические основы современной физики и технологии наноструктур.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи