Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.

Получение мощных ионных пучков для технологических целей: автореферат дис. ... д-ра техн. наук в форме научного доклада : 01.04.20, 01.04.07 / Г. Е. Ремнев ; офиц. оппоненты: Б. М. Ковальчук, Б. А. Калин, В. А. Москалев; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1994. — 67 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 59-67.

Эмиттеры заряженных частиц непрерывного действия с большой поверхностью на основе разрядов с холодным катодом: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Я. Мартенс ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1985. — 193 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 143-155.

Источники широкоапертурных пучков ионов газов и металлов на основе дугового и тлеющего разрядов при пониженном давлении: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Г. Ю. Юшков ; науч. конс. Е. М. Окс; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 343 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 320-343.

Условия образования и эмиссионные свойства объемной плазмы дугового разряда низкого давления: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Е. М. Окс ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1985. — 183 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 168-183.