| 51 |
|
Эмиттеры заряженных частиц непрерывного действия с большой поверхностью на основе разрядов с холодным катодом: автореферат дисс. канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Я. Мартенс ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель, офиц. оппоненты : В. А. Москалев, Ю. Д. Королев; Томский ин-т автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1985. — 18 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.
|
| 52 |
|
Деформация и разрушение модифицированных ионными пучками материалов при трении: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / Б. П. Гриценко ; науч. консультант В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: В. П. Кривобоков, А. А. Батаев, Ю. Ф. Иванов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Институт машиноведения УрО РАН. — Томск, 2007. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-30.
|
| 53 |
|
Получение мощных ионных пучков для технологических целей: автореферат дис. ... д-ра техн. наук в форме научного доклада : 01.04.20, 01.04.07 / Г. Е. Ремнев ; офиц. оппоненты: Б. М. Ковальчук, Б. А. Калин, В. А. Москалев; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1994. — 67 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 59-67.
|
| 54 |
|
Релаксационные процессы и кристаллизация аморфных диэлектриков на основе Bi1.8Pb0.3Sr2Ca2Cu2,7K0,3Oz и PbTiO3: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. И. Репников ; науч. рук. С. А. Гриднев, оппоненты: А. С. Сидоркин, А. В. Бирюков; Ростовский государственный университет (Ростов н/Д), НИИ Физики, Воронежский государственный технический университет (Воронеж). — Воронеж, 2006. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 55 |
|
Генераторы низкотемпературной плазмы на основе разряда низкого давления с инжекцией электронов из дугового контрагированного разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / М. В. Шандриков ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты: П. М. Щанин, В. А. Бурдовицын; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2004. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|