21 |
|
Формирование a-C:H:SiOx пленок методом плазмохимического осаждения: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. С. Гренадеров ; науч. рук. А. А. Соловьев, офиц. оппоненты : Б. П. Гриценко, Г. А. Поздняков; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Нац. исслед. ун-т "МЭИ". — Томск, 2018. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с.19-20.
|
22 |
|
Генерация форвакуумным плазменным источником электронов сфокусированных непрерывных пучков для обработки диэлектрических материалов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04..04 / И. Ю. Бакеев ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : И. С. Егоров, А. П. Семенов; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2019. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
23 |
|
Управление параметрами низкоэнергетических сильноточных электронных пучков, генерируемых в пушках со взрывоэмиссионным катодом : дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / П. П. Кизириди ; науч. рук. Г. Е. Озур, офиц. оппоненты : Г. Е. Ремнев, С. Ю. Соковнин; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Ин-т ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН. — Томск, 2021. — 143 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 125-140.
|
24 |
|
Влияние имплантации ионами алюминия на формирование градиентных слоев сплава ВТ1-0 в различных структурных состояниях: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 1.3.5 / А. В. Никоненко ; науч. рук. И. А. Курзина, офиц. оппонеты : Л. Л. Мейснер, В. В. Овчинников; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Алтайский гос. техн. ун-т им. И. И. Ползунова. — Томск, 2022. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
25 |
|
Форвакуумный плазменный источник ленточного электронного пучка для пучково-плазменной модификации диэлектриков: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 1.3.5 / В. Т. Чан ; науч. рук. А. С. Климов, офиц. оппонеты : Ю. П. Шаркеев, А. С. Каменецкий; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т физического материаловедения СО РАН (Улан-Удэ). — Томск, 2022. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|