Источники пучков ионов твердотельных веществ на основе вакуумно-дугового и пеннинговского разрядов для экстремальных режимов ионной имплантации: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.04 / Т. В. Кулевой ; науч. конс. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, А. А. Иванов, Г. Е. Ремнев; Ин-т теор. и эксперимент. физики им. А. И. Алиханова Нац. исслед. центра "Курчатовский институт", Ин-т прикл. физики РАН (Нижний Новгород). — Томск, 2019. — 35 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-35.

Источники широкоапертурных пучков ионов газов и металлов на основе дугового и тлеющего разрядов при пониженном давлении: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Г. Ю. Юшков ; науч. конс. Е. М. Окс; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 343 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 320-343.

Разработка и исследование широкоапертурных источников ионов и плазмы металлов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. И. Аксенов ; науч. рук.: Д. А. Носков, А. М. Толопа, офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Е. М. Окс; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1992. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Семенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Модернизация и исследование источника ионов металлов на основе вакуумного дугового разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / К. П. Савкин ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : Ю. П. Усов, А. И. Аксенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт теоретической и экспериментальной физики им. А. И. Алиханова. — Томск, 2005. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.