| 26 |
|
Взрывоэмиссионные источники электронов для поверхностной термообработки материалов: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / Б. А. Коваль ; науч. рук. Д. И. Проскуровский; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1987. — 204 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 182-200.
|
| 27 |
|
Взрывоэмиссионные источники электронов для поверхностной термообработки материалов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / Б. А. Коваль ; науч. рук. Д. И. Проскуровский, офиц. оппоненты: Д. А. Носков, Я. Е. Красик; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.). — Томск, 1987. — 22 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-21.
|
| 28 |
|
Источники широкоапертурных ионных пучков на основе вакуумного дугового разряда в сильном магнитном поле: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. Г. Николаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: А. И. Рябчиков, А. П. Семенов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Всероссийский электротехнический институт (М.). — Томск, 1998. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.
|
| 29 |
|
Генераторы низкотемпературной плазмы на основе разряда низкого давления с инжекцией электронов из дугового контрагированного разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / М. В. Шандриков ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты: П. М. Щанин, В. А. Бурдовицын; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2004. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 30 |
|
Генерация форвакуумным плазменным источником электронов сфокусированных непрерывных пучков для обработки диэлектрических материалов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04..04 / И. Ю. Бакеев ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : И. С. Егоров, А. П. Семенов; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2019. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|