Фотоэмиссионные свойства тонких пленок антимонидов щелочных металлов, сконденсированных в условиях сверхвысокого вакуума: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / И. А. Нестеров ; науч. рук. В. М. Геллер, науч. конс. А. Б. Беркин, офиц. оппоненты: В. Н. Брудный, С. Н. Янин; Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск), Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" (СПб.), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2009. — 24 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-24.

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Разработка плазменных технологий и оборудования для осаждения тонкопленочных теплоотражающих покрытий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. Д. Баинов ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : С. В. Смирнов, В. Ф. Пичугин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-производственный центр "Полюс". — Томск, 2013. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Осаждение металлических покрытий с помощью магнетрона с жидкофазной мишенью: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / А. В. Юрьева ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты: Н. В. Волков, С. В. Работкин; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2017. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Осаждение поликристаллических алмазных пленок в аномальном тлеющем разряде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / С. А. Линник ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты Б. В. Спицын, Н. С. Сочугов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов. — Томск, 2013. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.