Поведение макроскопически неоднородных твердых диэлектриков в сильном электрическом поле: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. М. Лебедев ; науч. конс. Ю. П. Похолков, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, В. М. Лисицин, А. Г. Овсянников; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — Томск, 2003. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-40.

Пороговые процессы в твердых телах при взаимодействии с сильноточными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Олешко ; науч. конс. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, Л. Б. Зуев, В. Г. Кригер; Томский политехнический университет (Томск), Томский государственный университет (Томск), Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики (Томск). — Томск, 2009. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-32.

Моделирование инициирования и роста разрядных структур в жидких диэлектриках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Карпов ; науч. рук.: А. Л. Куперштох, В. В. Лопатин, офиц. оппоненты: В. Ф. Климкин, Д. И. Вайсбурд; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Институт гидродинамики им. М. А. Лаврентьева СО РАН (Новосибирск), Институт электрофизики УРО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2003. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Радиационно-термическая активация диффузного массопереноса в оксидной керамике: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. А. Гынгазов; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-37.

Фотоэмиссионные свойства тонких пленок антимонидов щелочных металлов, сконденсированных в условиях сверхвысокого вакуума: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / И. А. Нестеров ; науч. рук. В. М. Геллер, науч. конс. А. Б. Беркин, офиц. оппоненты: В. Н. Брудный, С. Н. Янин; Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск), Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" (СПб.), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2009. — 24 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-24.