| 1 |
|
Осаждение покрытий из хрома и никеля с помощью магнетронного диода с "горячей" мишенью : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. В. Сиделёв ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : П. Е. Троян, С. В. Работкин; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2018. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22.
|
| 2 |
|
Осаждение металлических покрытий с помощью магнетрона с жидкофазной мишенью: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / А. В. Юрьева ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты: Н. В. Волков, С. В. Работкин; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2017. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 3 |
|
Разработка плазменных технологий и оборудования для осаждения тонкопленочных теплоотражающих покрытий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. Д. Баинов ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : С. В. Смирнов, В. Ф. Пичугин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-производственный центр "Полюс". — Томск, 2013. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|
| 4 |
|
Закономерности формирования, структурные особенности и свойства покрытий на основе фосфатов кальция, полученных ВЧ-магнетронным осаждением : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. А. Сурменева ; науч. рук. В. Ф. Пичугин, офиц. оппоненты : А. В. Градобоев, Ю. Ф. Иванов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН. — Томск, 2012. — 20 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|
| 5 |
|
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.
|