Получение наноразмерного диоксида кремния плазменно-дуговым методом из высококремнеземистого природного сырья: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / П. В. Космачев ; науч. рук. В. А. Власов, офиц. оппоненты : А. В. Номоев, В. Е. Овчаренко; Томский гос. архитектурно-строительный ун-т, Ин-т теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН. — Томск, 2018. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Осаждение покрытий из хрома и никеля с помощью магнетронного диода с "горячей" мишенью : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. В. Сиделёв ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : П. Е. Троян, С. В. Работкин; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2018. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22.

Магнитные и электрические характеристики пористых материалов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Егоров ; науч. рук.: В. Е. Панин, В. В. Поляков, оппоненты: Ю. А. Хон, Э. В. Поздеева; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1994. — 20 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.

Связь диэлектрических свойств алюмонитридной керамики и пиронитрида бора с их структурой: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / А. В. Кабышев ; науч. рук.: В. Я. Ушаков, В. В. Лопатин, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, А. В. Петров; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Институт проблем материаловедения АН Украинской ССР (Киев). — Томск, 1988. — 18 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-18.

Теория и разработка низкотемпературных композиционных электрообогревателей: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13, 01.04.14 / М. В. Халин ; науч. конс. В. В. Евстигнеев, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, В. Я. Ушаков, В. В. Саломатов; Алтайский государственный технический университет им. И. И. Ползунова (Барнаул), Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Барнаул, 1998. — 48 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 42-48.