Радиационная стойкость гетероструктур AIGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / П. В. Рубанов ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. М. Зыков, А. П. Коханенко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2012. — 19 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Моделирование подземного нагрева горючих сланцев: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / С. М. Мартемьянов ; науч. рук. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты С. В. Смирнов, А. А. Беспалько; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт углехимии и химического материаловедения СО РАН. — Томск, 2013. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Разработка плазменных технологий и оборудования для осаждения тонкопленочных теплоотражающих покрытий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. Д. Баинов ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : С. В. Смирнов, В. Ф. Пичугин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-производственный центр "Полюс". — Томск, 2013. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / К. Н. Орлова ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. И. Олешко, А. В. Войцеховский; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2013. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Структура, оптические свойства и радиационная стойкость синтезированных и модифицированных порошков титана бария: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Т. А. Утебеков ; науч. рук. М. М. Михайлов, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, П. С. Гордиенко; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, ОАО "Информационные спутниковые системы" им. Академика М. Ф. Решетнева, Национальный исследовательский Томский политехнический университет. — Томск, 2013. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.