| 1 |
|
Осаждение поликристаллических алмазных пленок в аномальном тлеющем разряде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / С. А. Линник ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты Б. В. Спицын, Н. С. Сочугов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов. — Томск, 2013. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.
|
| 2 |
|
Наноструктурированные слои и тонкие пленки на основе оксида цинка: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. В. Исмаилов ; науч. рук. А. П. Ильин, офиц. оппоненты : П. М. Плетнев, Л. П. Борило; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Юго-Западный гос. ун-т. — Томск, 2018. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с.23-24.
|
| 3 |
|
Электрохимия алмаза / Ю. В. Плесков; Рос. АН, Институт электрохимии им. А. Н. Фрумкина. — М.: Едиториал УРСС, 2003. — 104 с.: ил. — Библиогр.: с. 88-101. — ISBN 5-354-00158-7: 6.00.
|
| 4 |
|
Плазмохимический синтез наноразмерного диоксида кремния из тетраэтоксисилана, инициируемый импульсным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Г. Е. Холодная ; науч. рук. Р. В. Сазонов, офиц. оппоненты : Ю. М. Анненков, А. Н. Лапин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт физики высоких технологий, Институт физики прочности и материаловедения СО РАН. — Томск, 2013. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 5 |
|
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.
|