| 11 |
|
Генераторы низкотемпературной плазмы на основе разряда низкого давления с инжекцией электронов из дугового контрагированного разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / М. В. Шандриков ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты: П. М. Щанин, В. А. Бурдовицын; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2004. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 12 |
|
Генерация низкотемпературной плазмы в сильноточном несамостоятельном тлеющем разряде с полым катодом: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / В. В. Денисов ; науч. рук. Н. Н. Коваль, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, А. С. Климов; Ин--т сильноточной электроники СО РАН, Ин-т теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН. — Томск, 2018. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 13 |
|
Исследование воздействия собственного магнитного поля на параметры плазменных струй в стационарном и импульсном вакуумном разряде: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Е. А. Зверев ; науч. рук. И. А. Кринберг; Иркутский государственный университет (Иркутск). — Иркутск, 1999. — 112 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 105-112.
|
| 14 |
|
Разработка и исследование широкоапертурных источников ионов и плазмы металлов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. И. Аксенов ; науч. рук.: Д. А. Носков, А. М. Толопа, офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Е. М. Окс; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1992. — 17 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 15 |
|
Испарение капель катодного материала в плазме вакуумно-дугового отражательного разряда: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Е. Л. Дубровская (Прядко) ; науч. рук. А. В. Батраков, офиц. оппоненты : В. Л. Паперный, Г. Ю. Юшков; Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт электрофизики УрО РАН. — Томск, 2012. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-29.
|