| 56 |
|
Получение мощных ионных пучков для технологических целей: автореферат дис. ... д-ра техн. наук в форме научного доклада : 01.04.20, 01.04.07 / Г. Е. Ремнев ; офиц. оппоненты: Б. М. Ковальчук, Б. А. Калин, В. А. Москалев; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1994. — 67 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 59-67.
|
| 57 |
|
Влияние прикатодных процессов на контракцию импульсных объемных разрядов: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / А. В. Козырев ; науч. рук. Ю. Д. Королев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1986. — 157 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 144-157.
|
| 58 |
|
Генерация мощных ионных пучков в системах с плазмоэрозионным размыкателем: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / А. А. Синебрюхов ; науч. рук. В. М. Быстрицкий; Институт электрофизики УрО АН СССР. — Томск, 1987. — 120 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с.113-120.
|
| 59 |
|
Форвакуумные плазменные источники электронов / В. А. Бурдовицин [и др.]; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск: Издательство Томского университета, 2014. — 288 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7511-2269-0.
В монографии рассматривается одно из активно развиваемых в настоящее время направлений плазменной эмиссионной электроники, связанное с так называемыми форвакуумными плазменными источниками электронов. Отличительной особенностью этих устройств является возможность эффективной генерации стационарных и импульсных электронных пучков в ранее недоступной области повышенных давлений форвакуумного диапазона (1-100 Ра). Представленный в книге материал основан на результатах реализации научных проектов, поддержанных более чем 10 грантами РФФИ. Для разработчиков источников электронов, а также специалистов, использующих электронные пучки для решения фундаментальных и прикладных задач.
|
| 60 |
|
Источники пучков ионов твердотельных веществ на основе вакуумно-дугового и пеннинговского разрядов для экстремальных режимов ионной имплантации: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.04 / Т. В. Кулевой ; науч. конс. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, А. А. Иванов, Г. Е. Ремнев; Ин-т теор. и эксперимент. физики им. А. И. Алиханова Нац. исслед. центра "Курчатовский институт", Ин-т прикл. физики РАН (Нижний Новгород). — Томск, 2019. — 35 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-35.
|