| 6 |
|
Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Семенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 7 |
|
Плазменные источники интенсивных электронных и ионных пучков на основе разрядов низкого давления с ненакаливаемым катодом в магнитном поле: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Е. М. Окс; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1994. — 271 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 251-271.
|
| 8 |
|
Плазменные источники интенсивных электронных и ионных пучков на основе разрядов низкого давления с ненакаливаемым катодом в магнитном поле: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Е. М. Окс ; офиц. оппоненты: Ю. И. Бельченко, Ю. П. Усов, Г. М. Кассиров; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Объединенный институт ядерных исследований. — Томск, 1994. — 34 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-30.
|
| 9 |
|
Генерация многоразрядных ионов в нестационарных условиях горения вакуумного дугового разряда: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / А. С. Бугаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, А. В. Батраков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.
|
| 10 |
|
Источники широкоапертурных ионных пучков на основе вакуумного дугового разряда в сильном магнитном поле: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. Г. Николаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: А. И. Рябчиков, А. П. Семенов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Всероссийский электротехнический институт (М.). — Томск, 1998. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.
|