Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

В книге изложены вопросы теории и техники синхронизации СВЧ генераторов на туннельных, лавинно-пролетных и ганновских диодах. Рассмотрены принципы и основные режимы работы этих генераторов, дан краткий обзор методов их исследований в неавтономных режимах. Приведены расчетные соотношения для оценки эффективности синхронизации генераторов на основной частоте, гармонике и субгармонике частоты внешнего сигнала. Рассмотрены наиболее перспективные области технического применения синхронизированных диодных СВЧ генераторов. Книга предназначена для инженерно-технических работников, занимающихся исследованиями и разработками в области систем СВЧ связи.