Неквазистатическое моделирование импульсных полупроводниковых приборов: монография / Г. М. Шевченко, Э. В. Семенов ; рецензенты : Н. Д. Малютин, О. Ю. Малаховский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск: Изд-во ТУСУРа, 2022. — 50 с.: ил. — Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ, проект № FWRM-2021-0015. — Библиогр.: с. 44-47. — ISBN 978-5-86889-987-4.
Представлена нелинейно-инерционная модель p-n-перехода, предназначенная для повышения качества моделирования радиоэлектронных устройств путем получения существенно меньшей погрешности моделирования относительно квазистатической модели за счет реализации зависимости последовательного сопротивления потерь от диффузионного заряда и времени жизни неравновесных носителей заряда от прямого тока.Для широкого круга специалистов - научных сотрудников, инженеров, работающих в области проектирования радиоэлектронной аппаратуры, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области радиотехники, промышленной и физической электроники.