| 76 |
|
Cubic boron nitride: raman and luminescence investigations, prospects for use in opto- and microelectronics = Кубический нитрид бора: исследования комбинационного рассеяния и люминесценции, перспективы использования в опто- и микроэлектронике: монография / E. M. Shishonok ; рец.: И. А. Петруша, А. К. Федотов. — Minsk: Publ. center of BSU, 2009. — 263 p.: цв.ил.; 21 cm. — Bibliogr.: p. 233-262. — ISBN 978-985-476-711-6: 380.00.
В монографии представлены результаты исследований кубического нитрида бора (cBN) в различных морфологических формах (микропорошки, монокристаллы, керамические образцы и поликристаллы) методами ИК-спектроскопии, комбинационного рассеяния (КР), фото- и катодолюминесценции (ФЛ и КЛ). Освещаются аспекты влияния отклонения состава образцов от стехиометрического и легирования cBN на его ИК-спектры, спектры КР, ФЛ и КЛ и результаты получения и исследования светоизлучающих материалов на основе cBN, активированных редкоземельными элементами, обладающих интенсивной световой эмиссией в широком спектральном диапазоне (УФ, видимый, ИК) и перспективы использования указанных материалов в оптоэлектронике. Излагаются результаты практического использования метода ЭПР как способа определения относительных значений теплопроводности cBN с целью изготовления толстых пленок с высокой теплопроводностью для нужд микроэлектроники. Представлены результаты исследования физических свойств толстых пленок на основе cBN.
|
| 77 |
|
Научные труды: сборник научных трудов. — М.: Металлургия, 1982. — 141 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50. |
| 78 |
|
Фотоника: словарь терминов / Т. Е. Ковалевская [и др.]. ; под ред. В. Н. Овсюка; Рос. АН, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников, ФГУП "Дом оптики ВНЦ ГОИ им. С. И. Вавилова". — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. — 342 с.: ил. — Авт. указаны на обороте тит. л. — Имен. указ.: с. 338-342. — ISBN 5-7692-0691-8: 560.00. |
| 79 |
|
Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. И. Борисенко ; науч. конс. Г. Ф. Караваев, оппоненты: Д. И. Вайсбурд, А. С. Поплавной, Б. Ф. Самсонов; Томский государственный университет (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.). — Томск, 2004. — 32 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-32.
|
| 80 |
|
Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники: [учеб. пособие для вузов по направлению подгот. 210100 "Электроника и микроэлектроника"] / В. М. Рощин, М. В. Силибин. — Б.м., 2010. — 179, [1] с.: табл. — Библиогр.: с. 180. — ISBN 978-5-94774-910-6: 240.00.
Учебное пособие посвящено технологии получения основных компонентов микро-, опто- и наноэлектроники: металлов, легирующих элементов, диэлектрических материалов, углеродных материалов, металлоорганических соединений и вспомогательных материалов. Для студентов, обучающихся по направления "Электроника и микроэлектроника": полезно также специалистам. работающим в соответствующей области.
|