В представленной книге рассмотрены широко применяемые в современных электронных приборах и устройствах оксидные катоды, активное покрытие которых является гетерофазной системой, сформированной из порошков окислов ЩЗМ и металла, главным образом, никеля. Детально изложена технология изготовления катодов, применение их в приборах разных классов. Описаны принципы конструирования катодных узлов, в том числе созданных самим автором монографии. Большое внимание уделено методам оценки качества катодов в приборах. Все изложение проводится с позиций понимания катода как части физико-химической системы, каковой является электровакуумный прибор в целом. Книга может служить учебным пособием при чтении традиционных курсов по электронным приборам и технологии электровакуумного производства. Она представит несомненный интерес для инженеров-разработчиков электронных приборов и катодов, а также для технологов-производственников. Одобрено ученым советом факультета физической и квантовой электроники МФТИ.

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.