1 |
|
Современные инжекционные лазеры: монография / А. Е. Жуков, М. В. Максимов; С.-Петерб. физ.-технол. науч.-образоват. центр РАН. — СПб.: Издательство Политехнического университета, 2009. — 275, [1] с.: ил.; 21 см. — ISBN 978-5-7422-2406-8: 462.00.
Систематизированы физические принципы функционирования и особенности приборных характеристик современных полупроводниковых лазеров, использующих в качестве активной области полупроводниковые наноструктуры — квантовые ямы и массивы квантовых точек, затронуты технологические аспекты изготовления подобных лазеров, обобщены основные экспериментальные результаты в этой области. Издание адресовано студентам магистратуры технических вузов и аспирантам научных специальностей, связанных с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами, гетероструктурами и приборами на их основе.
|
2 |
|
Оптические квантовые генераторы: Новейшие исследования и применения оптической квантовой электроники : сб. статей / под ред. Ф. В. Бункина. — М.: Мир, 1966. — 375 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.50.
|
3 |
|
Введение в физику инжекционных лазеров: монография / П. Г. Елисеев. — М.: Наука, 1983. — 294 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-294. — 3.30.
Полупроводниковые инжекционные лазеры получают все более широкое практическое применение. Массовые масштабы имеет их использование в волоконо-оптических системах передачи информации. За последнее время к исследованиям и разработкам в области лазеров этого типа привлечено много новых специалистов. Резко возросло количество научных публикаций в периодической печати. В данной книге представлены и кратко обсуждены главные проблемы физики лазерных полупроводниковых устройств инжекционного типа. Экспериментальные данные включены, главным образом, в виде примеров к отдельным параграфам и таблиц. Учтены новейшие научные результаты, относящиеся к гетеролазерм на основе многокомпонентных (четверных) систем твердых растворов. Рассмотрены более подробно механизм излучательных переходов, механизм накачки, закономерности формирования спектра лазерного излучения, некоторые нелинейные оптические явления, характерные для инжекционных лазеров.
|
4 |
|
Полупроводниковые лазеры: монография / О. В. Богданкевич, С. А. Дарзнек, П. Г. Елисеев. — М.: Наука, 1976. — 415 с.: ил. — Предм. указ.: с. 412-415. — Библиогр.: с. 374-411.
Книга посвящена полупроводниковым лазерам - эффективным и компактным источникам когерентного излучения, имеющим перспективы широкого практического применения. Основное место в книге уделяется инжекционным лазерам и лазерам с возбуждением быстрыми электронами. Во Введении дается краткий обзор характеристик и сводка полупроводниковых материалов, используемых в лазерах. Первая часть книги содержит анализ механизма излучательной рекомбинации в кристаллах полупроводниковых соединений, некоторых вопросов динамики и основных характеристик полупроводниковых лазеров инжекционного типа. Рассмотрены физические процессы, сопровождающие работу лазера, а также проблемы, возникающие при их практическом применении. Во второй части книги рассматриваются теоретические вопросы и практические применения лазеров с электронными возбуждением; описаны процессы взаимодействия быстрых электронов с кристаллом, образование избыточных носителей тока, процессы взаимодействия когерентного излучения с активной средой в лазерах этого типа при различной геометрии резонатора и пучка, тепловые режимы, динамика генерации и практическое применение лазеров с электронным возбуждением.
|
5 |
|
Международный семинар по оптоэлектронике, Санкт-Петербург, 5-6 нояб. 1998 г.: тез. докл. / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН, Каф. оптоэлектроники С.-Петерб. гос. электротехн. ун-та. — СПб., 1998. — 72 с.: ил. — 7.25.
|