Физические основы образования глубоких уровней в кремнии: научное издание / С. Зайнабидинов ; отв. ред. В. И. Фистуль, рец.: П. М. Каррагеоргий-Алкалаев, Е. Г. Заугольникова; Ташкентский государственный университет им. В. И. Ленина (Ташкент). — Ташкент: Фан, 1984. — 160 с.: ил. — Библиогр.: с. 149-158. — 1.30.
Рассматривается образование глубоких уровней при термообработке, облучении и введении примесных атомов в полупроводниках; обобщаются результаты изучения влияния глубоколежащих уровней на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства полупроводника; выясняются причины образования глубоколежащих уровней в запрещенной зоне полупроводника, заключающиеся в сложном взаимодействии дефектов кристаллической решетки с дефектами, образующимися при внешних воздействиях или с примесными атомами. Для научных работников, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов.