Труды ИОФАН: сборник / Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.); гл. ред. Трудов И. А. Щербаков, отв. ред. тома К. Н. Ельцов. — М.: Наука, 2010. — 202 с.: ил.; 24 см. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-037473-7: 200.00.
В сборнике статей представлены результаты исследований поверхностных атомных структур, образованных при взаимодействии молекулярных галогенов с основными гранями благородных металлов Cu, Ag и Au и гранью (100) полупроводника GaAs, а также результаты изучения поверхности Si(100)-с(6х2)-Ag. Для изучения процессов формирования и трансформации поверхностных структур применены современные методы исследования, такие как низкотемпературная сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия и расчеты, основанные на теории функционала плотности, что позволяет на атомном уровне проследить за развитием структурны фазовых переходов, начиная с самых малых степеней покрытия от 0.01 монослоя. Предназначен для специалистов и аспирантов, работающих в области физики поверхности и физики низкоразмерных систем.