Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.

Книга известных американских физиков - теоретика Р. Уайта и экспериментатора Т. Джебелла, посвященная процессам упорядочения в твердых телах при фазовых переходах. Наряду с традиционными вопросами отражены актуальные проблемы - возможность повышения критической температуры сверхпроводников, существование волн зарядовой плотности в слоистых соединениях, магнитное упорядочение в сверхпроводящих соединениях, сверхпроводимость и магнетизм в аморфных металлах. Теоретические представления сопоставляются с результатами экспериментов. Для научных работников, аспирантов и студентов, желающих в доступной форме ознакомиться с достижениями физики твердого тела.