| 1 |
|
Физические основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов по спец. "Проектирование и технология радиоэлектронных средств" направления "Проектирование и технология электрон. средств" / В. И. Марголин, В. А. Жабрев, В. А. Тупик. — М.: Академия, 2008. — 398, [1] с.: ил.; 22 см. — (Высшее профессиональное образование). — Библиогр.: с. 395. — ISBN 978-5-7695-4227-5: 543.00.
Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники : получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы контроля и метрологии. Для студентов высших учебных заведений.
|
| 2 |
|
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2005. — 414,[1] с.: ил.; 24 см. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-033950-4: 194.00. |
| 3 |
|
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [сб. ст.] / отв. ред. А. А. Орликовский. — М.: Наука, 2009. — 177 с.: ил. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-036976-4: 292.50.
Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования нанотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.
|
| 4 |
|
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование: [посвящ. 70-летию со дня рождения А. А. Орликовского] / Физико-технологический институт РАН; отв. ред. В. Ф. Лукичев. — М.: Наука, 2008. — 246, [1] с.: ил.; 24 см. — (Труды ФТИАН / Рос. акад. наук, Физ.-технол. ин-т ; гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 978-5-02-036641-1: 229.50.
Сборник посвящен актуальным проблемам математического моделирования субмикронных технологий и квантовых наноприборов. Основное внимание уделено наиболее важным проблемам, таким как фотолитография, травление и осаждение тонких пленок, электронная литография, надежность соединений и корпусов микросхем, квантовое поведение нанотранзисторов. Отдельно рассмотрены квантовые модели структур с пониженной размерностью, спиновых структур, методы квантовой обработки и передачи информации, в частности квантовой криптографии. Обсуждается возможность построения полномасштабного твердотельного квантового компьютера на ядерных спинах кремния. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 5 |
|
Физические основы кремниевой наноэлектроники: учебное пособие / Г. И. Зебрев. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. — 240 с.: ил. — (Нанотехнологии). — Библиогр.: с. 224-232. — ISBN 978-5-9963-0181-2: 200.00.
Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов. специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов "Физические основы наноэлектроники", "Наноэлектронные технологии", "Физика микроэлектронных структур".
|