Оборудование и методы импульсно-периодической ионной и плазменной обработки материалов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.20 / И. Б. Степанов ; научн. конс. А. И. Рябчиков, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, Г. Е. Ремнев, Г. Ю. Юшков; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-44.

Разложение по траекториям в нелинейной электродинамике пучковой плазмы: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / Ю. И. Бобылев ; научный руководитель А. А. Рухадзе, научный руководитель М. В. Кузелев, оппонент Н. С. Ерохин, оппонент М. В. Федоров; Тульский государственный педагогический университет им. Л. Н. Толстого (Тула), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — Тула, 1988. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-14.

Phenomena in Ionized Gases: Proceedings. Vol. 4 [Saturday/Sunday, July 19-20] / XXVI International Conference on Phenomena in Ionized Gases (15-20 July 2003) , Institute of Physics (Graifswald), Institute of Low-Temperature Plasma Physics (Greifswald), Max Plank Institute for Plasma Physics (Greifswald); ed. J. Meichsner, D. Loffhagen, H.-E. Wagner. — S.l, 2003. — 252 p.: il. — Author Index: p. 245-252. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 3-00-011689-3.

Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.

Взаимодействие электронного сгустка с ускоряющей системой / С. Б. Рубин. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 174 с.: ил. — Библиогр.: с. 167-172. — 1.60.