Приведены результаты исследований рекомбинационных и радиационных явлений в полупроводниковых лазерах с накачкой импульсными пучками электронов с энергией ниже и выше порога дефектообразования. В отличие от инжекционных в этих лазерах возбуждаются большие объемы активной среды. Это позволило исследовать все возможные типы лазерных переходов, используя материалы с различными свойствами, в том числе недоступные для инжекционных лазеров, обнаружить новые явления, создать мощные лазеры, конкурирующие с твердотельными. Рассмотрены известные соединения АШВ и AnBVI, а также новые трех- и четырехкомпонентные «идеальные» твердые растворы. В условиях интенсивного возбуждения обнаружено новое явление — атермический импульсный отжиг, в результате которого улучшаются объемные и поверхностные свойства активных сред. Описаны деградационные явления и спектрально-временные характеристики излучения с разрешением до 10~" с. Рассмотрены возможные физические модели этих явлений. Материалы монографии автор использует при чтении лекций в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Изложенный в книге материал ранее в других монографиях не обсуждался. Для студентов старших курсов, аспирантов, научных сотрудников, работающих в области квантовой электроники.

В основу легли главы американского справончка "Handbook of lasers with selected data on optical technology", под ред. Р. Дж. Пресли, вышедшего в 1971 г. в США, и статьи спрвочного характера ведущих советских ученых. В первом томе, состоящем из четырех частей, читатель найдет исчерпывающие данные о свойствах активных сред всех известных лазеров, имеющих прикладное знаение. Материал представлен с большой наглядностью - в виде графиков, таблиц и энергетических схем. Книга представляет интерес для широкого круга инженеров и научных работников, занимающихся квантовой электроникой и работающих в смежных областях. Справочник окажет также большую помощь разработчикам аппаратуры и приборов, применяемых в лазерной технике, а также студентам старших курсов вузов физических и технических специальностей.