Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 36 - 40 из 10541 для dc.subject any/relevant "дефекты дефекты ... ( 0.680 сек.)

36
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов: Вища школа, 1981. — 155 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
37
Физика твердого тела. Лабораторный практикум : учеб. пособие для вузов : в 2-х т. — М.; : Высшая школа. — 5-06-004023-2.
: Методы получения твердых тел и исследования их структуры / В. А. Гавва [и др.] ; под ред. А. Ф. Хохлова. — 2-е изд., исправ. — М.: Высшая школа, 2001. — 364 с.: ил. — ISBN 5-06-004021-6: 97.00.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
38
Зуев, Лев Борисович.
Автоволновая модель пластичности кристаллических твердых тел: макро- и микродефекты: научное издание / Л. Б. Зуев, С. А. Баранникова, В. И. Данилов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Кристаллография. — 2009. — Том54, N6 . — С. 1063-1073. — Посвящается памяти В. Л. Инденбома. — ISSN 0023-4761.
Предложен новый подход к проблеме пластического течения кристаллических твердых тел, основанный на изучении картин макролокализации пластической деформации, которые могут рассматриваться как различные типы автоволновых процессов самоорганизации дефектов. Установлено однозначное соответствие между картинами локализации и стадиями пластического течения моно- и поликристаллов. Для автоволн локализованной пластичности скорость распространения обратно пропорциональна коэффициенту деформационного упрочнения я, а дисперсионное соотношение имеет квадратичный характер. Предложена новая модель развития локализации пластического течения.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
39
Вещунов, Михаил Сергеевич.
Связь между структурными переходами на поверхности и в объеме кристаллов: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. С. Вещунов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Институт проблем безопасного развития атомной энергетики РАН. — Томск, 1992. — 292 л. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 275-292.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
40
Готтштайн, Гюнтер.
Физико-химические основы материаловедения / Г. Готтштайн; пер. с англ. К. Н. Золотовой, Д. О. Чаркина под ред. В. П. Зломанова. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. — 400 с.: ил.; 25 см. — (Лучший зарубежный учебник). — Библиогр.: с. 375-383. — ISBN 978-5-94774-769-0: 356.40.
В учебном пособии, написанном известным специалистом из Германии, имеющим многолетнюю преподавательскую практику, изложены основы современного материаловедения. При этом в полной мере использованы фундаментальные понятия, представления и закономерности из других областей знаний - физики, химии, математики, а также кристаллографии и металлургии. Рассмотрены различные модели, в том числе на основе фазовых диаграмм и теории химической связи. Большое внимание уделено применению термодинамических подходов при изучении материалов. Подробно обсуждаются теория дефектов в кристаллических твердых телах, процессы кристаллизации и рекристаллизации, способы управления составом композиционных материалов, структурная организация в стеклах и полимерах. Книга очень хорошо иллюстрирована. Для студентов и аспирантов университетов, а также других вузов, готовящих специалистов в области наук о материалах.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи