51 |
|
Электронные цепи и микросхемотехника: учеб. пособие для вузов по напр. подгот. бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по спец. "Микроэлектроника и твердот. электроника" и др. / Ю. А. Быстров, И. Г. Мироненко. — М.: Высшая школа, 2002. — 384 с.: ил. — Библиогр.: с. 382. — ISBN 5-06-004040-2: 65.52.
|
52 |
|
Наносекундная импульсная техника / В. Мейлинг, Ф. Стари ; пер. с англ. С. С. Паржицкого, под ред. Е. А. Мелешко. — М.: Атомиздат, 1973. — 383 с.: ил. — Библиогр.: с. 359-383. — 2.80.
В книге изложены принципы построения импульсных устройств нано- и пикосекундного быстродействия и различные аспекты их применения. Рассмотрены методы генерирования и обострения фронтов коротких электрических и световых импульсов, а также способы измерения их параметров. Приводятся сведения о быстродействующих детекторах излучений и о способах съема сигналов с подобных устройств. Рассматриваются схемы устройств для предварительной обработки нано- и пикосекундных сигналов (усилителей, дискриминаторов, устройств временной привязки, совпадений и антисовпадений). Особое внимание уделено быстродействующим преобразователям напряжений и измерителям коротких временных интервалов. Рассматриваются современные методы регистрации формы быстрых сигналов, в том числе с помощью цифровых запоминающих осциллографов с частотами дискретизации до десятков гигагерц. Для широкого круга инженерно-технических и научных работников, занимающихся импульсными измерениями в физических экспериментах и в области информационных технологий, а также для студентов соответствующих специальностей.
|
53 |
|
Моделирование 3D наносхемотехники: монография / Н. К. Трубочкина. — Москва: Бином. Лаборатория знаний, 2012. — 499[12]л. ил. с.: ил.; 25 см. — Библиогр.: с. 475-487. — ISBN 978-5-9963-0291-8: 540.00.
В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размеров 10-20 нм и сравнительный анализ 4-х типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям "Нанотехнология и микросистемная техника", "Электроника и наноэлектроника", "Вычислительные системы, комплексы и сети".
|
54 |
|
Радиационно-надежностные характеристики изделий электронной техники в экстремальных условиях эксплуатации: сборник / под ред. Ю. Н. Торгашова. — СПб.: Электронстандарт, 1994. — 94 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-8464-0057-4.
|
55 |
|
Применение прецизионных аналоговых микросхем / А. Г. Алексенко, Е. А. Коломбет, Г. И. Стародуб. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1985. — 255 с.: ил. — Библиогр.: с. 251-254. — 1.30.
|