Рассматривается образование глубоких уровней при термообработке, облучении и введении примесных атомов в полупроводниках; обобщаются результаты изучения влияния глубоколежащих уровней на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства полупроводника; выясняются причины образования глубоколежащих уровней в запрещенной зоне полупроводника, заключающиеся в сложном взаимодействии дефектов кристаллической решетки с дефектами, образующимися при внешних воздействиях или с примесными атомами. Для научных работников, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов.

В справочнике приведены сведения о кристаллографии, термодинамических, теплофизических, оптических, электрических и химических свойствах природных и синтетических алмазов. Для сравнения указаны теплофизические свойства графита и некоторых других модификаций углерода. Для научных работников и инженеров, занимающихся синтезом алмаза и созданием на его основе абразивных и режущих инструментов, деталей электронных, оптических приборов и различных механизмов, а также для преподавателей и студентов вузов.