| 6 |
|
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике: научное издание / [Н. Н. Михайлов, Р. Н. Смирнов, С. А. Дворецкий и др.]; отв. ред. А. Л. Асеев; Российская академия наук, Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. — 368 с.: ил.; 25 см. — Авт. указаны в огл. — Библиогр. в конце параграфов. — ISBN 5-7692-0608-2: 400.00.
В монографии представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологий и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; современные методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением; результаты применения нанотехнологии для изготовления устройств наноэлектроники. Монография представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики и химии твердого тела, микро-, наноэлектроники и нанотехнологии.
|
| 7 |
|
Семинар по использованию элементоорганических соединений в синтезе кристаллов и пленок, по молекулярно-лучевой эпитаксии: тезисы докладов / Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (VII ; 9-13 июня 1986 г. ; Новосибирск) , Научный совет по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения АН СССР, Сибирская секция полупроводников и твердотельных структур, Новосибирское правление ВХО им. Д. И. Менделеева СО АН СССР (Новосибирск), Институт неорганической химии СО АН СССР (Новосибирск), Институт физики полупроводников СО АН СССР (Новосибирск). Научный совет по проблеме "Образование и структура кристаллов" АН СССР. — [Новосибирск], [1986]. — 125 с.: ил. — Алф. указ. к трем томам: с. 112-125.
|
| 8 |
|
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. М. Дзядух ; науч. рук. А. В. Войцеховский, офиц. оппоненты : О. П. Толбанов, А. А. Вилисов; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Томский университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 9 |
|
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Д. И. Горн ; науч. рук. А. В. Войцеховский ; офиц. оппоненты : В. П. Гермогенов, В. М. Лисицин; Нац. исслед. Томский гос. ун-т. — Томск, 2012. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 10 |
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. Л. Ченга, К. Плога, пер. с англ. под ред. Ж. И. Алфёрова, Ю. В. Шмарцева. — М.: Мир, 1989. — 584 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-000737-7: 5.90. |