896 |
|
Проведены исследования превращений ацетилена при механоактивационной обработке в присутствии кварца. При разрушении кварца образуются радикалы на поверхности, инициирующие превращения ацетилена в газовой фазе. Показано, что помимо деструкции ацетилена, протекающей с образованием водорода, метана и этана, происходит полимеризация ацетилена с образованием бензола. Установлено, что выход продуктов химических превращений ацетилена зависит от длительности механического воздействия.
|
897 |
|
The analysis of oil reserves distribution in the territory of permafrost of different types showed that the zone of discontinuous spread of permafrost is much richer than the oil-and-gas bearing territories of insular and continuous permafrost propagation. A comparison analysis of the Russia crude oil chemical composition in the zones of continuous, discontinuous fnd insularpermafrost propagation is made. It is shown that in the territory of discontinuous spread of permafrost the content of sulfur, paraffins, resins and asphaltens in average is less, and the content of fractions with boiling temperature 350 oC is higher in comparison with their content in the pеrmafrost territory of insular and continuous types. Fig. 6, table 3, ref. 7.
|
898 |
|
Физико-химические константы 1,3-диоксанов.
:. — Уфа, 1975. — 219, [1] с.: табл. — Библиогр.: с. 189-219. — 0.80.
|
899 |
|
Физико-химические константы кислородсодержащих гетероциклических соединений / Д. Л. Рахманкулов [и др.] ; под ред. Д. Л. Рахманкулова; Уфимский нефтяной институт. — Уфа, 1974. — 119, [1] с.: табл. — Библиогр.: с. 99-117. — 1.32.
|
900 |
|
Изучена микроскопическая природа селективного взаимодействия йода с As- и Ga-стабилизированными поверхностями GaAs(001) методом фотоэлектронной эмиссии и расчетами из первых принципов. Адсорбция йода на Ga- стабилизированную поверхность (4 х 2) / с (8 х 2) приводит к образованию преимущественной химической связи с атомами галлия, значительному перераспределению электронной плотности между поверхностными атомами Ga и As и, как следствие, уменьшению их энергии связи. На As-стабилизированной поверхности (2 х 4) / с (2 х 8) йод образует связь преимущественно с поверхностным мышьяком. Такое селективное взаимодействие йода с реконструированными поверхностями приводит к травлению Ga-стабилизированной поверхности и пассивации As-стабилизированной поверхности, что объясняет атомно-слоевое ("цифровое") травление GaAs(001), контролируемое реконструкционными переходами на этой поверхности.
|