Импульсные тиристорные преобразователи для систем электропитания мощных СВЧ приборов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.12 / Е. А. Копелович ; науч. рук. С. В. Хватов, офиц. оппоненты: А. Н. Мешков, В. С. Вьюнов; Нижегородский политехнический институт (Нижний Новгород), Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород), Научно-исследовательский институт радиотехники (Нижний Новгород). — Нижний Новгород, 1992. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Электромагнитные и тепловые процессы в силовом преобразователе электропривода переменного тока с синусоидальной широтно-импульсной модуляцией: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.12 / Д. О. Карпенко ; науч. рук. Ю. А. Сабинин, офиц. оппоненты: В. И. Хрисанов, Б. Ф. Дмитриев; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (СПб.), Центральный научно-исследовательский институт судовой электротехники и технологии. — СПб., 1998. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.

Мощные устройства импульсной энергетики на основе реверсивно включаемых динисторов (РВД): автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / С. В. Коротков ; офиц. оппоненты: Р. Б. Гончаренко, А. С. Васильев, В. Г. Кучинский; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.), Российский федеральный ядерный центр (Саров), Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (Саров), Институт проблем электрофизики РАН (СПб.). — СПб., 2003. — 34 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-34.

Радиационная стойкость гетероструктур AIGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / П. В. Рубанов ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. М. Зыков, А. П. Коханенко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2012. — 19 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / К. Н. Орлова ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. И. Олешко, А. В. Войцеховский; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2013. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.