Для промышленного производства теплоотражающих покрытий (ТОП) на архитектурном стекле изготовлена установка ТОПаз-3М со шлюзованием кассеты двухстороннего размещения стекла и системой транспортировки через рабочую камеру. Максимальный размер листового стекла - 2750x1605 мм. Установка имеет автоматическую систему диагностики и управления работой вакуумного и технологического оборудования. Длительность цикла - 20-25 минут в режиме "зеркало", 40-60 минут в режиме "низкоэмиссионное стеклоTiO2", 25-30 минут в режиме "низкоэмиссионное стекло SnO2". Представлены технические характеристики установки, технологические параметры нанесения ТОП-состава TiO2-Ag-TiO2, SnO2-Ag-SnO2, а также оптические свойства полученных многослойных покрытий в видимом и инфракрасном диапазонах.

В работе дано описание конструктивных особенностей вакуумной установки «КВАНТ», предназначенной для ионно-магнетронного напыления покрытий с нанокристаллической структурой. Приводятся технические характеристики установки, описание некоторых методов напыления и результаты исследований структуры и механических свойств нанокристаллических покрытий, полученных на установке.

В работе приводятся конструкция и исследования двухпучкового газового ионного источника серии «Планар», предназначенного для использования в вакуумно-плазменных напылительных системах. В основе конструкции ионного источника положен принцип работы ускорителя с замкнутым дрейфом электронов и узкой зоной ускорения (УЗДУ). Эмиссионная поверхность источника представляет собой узкую непрерывную щель, вытянутую в длину, образуя два протяженных пучка ионов. Длина пучков варьируется от 100 до 2300 мм в зависимости от применения источника. Источник обеспечивает энергию ионов до 8 кэВ и плотность тока до 1 мA/см2. Приводятся параметры источника.

Настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по основным вакуумным плазмохимическим процессам в тонкопленочной технологии — реактивному магнетронному нанесению тонких пленок и ионно-плазменному травлению. В ней обобщено современное состояние этих процессов. Книга содержит подробное описание магнетронных напылительных установок и плазмохимических установок для травления тонких пленок. Рассмотрены технологические особенности их использования. Описаны способы управления процессами реактивного нанесения тонких пленок и использования среднечастотных импульсных источников питания. Показаны технологические особенности получения тонких пленок тройных химических соединений методом реактивного магнетронного сораспыления. Описана структура получаемых пленок и ее зависимость от параметров процесса нанесения. Приведены принципы конструирования источника высокочастотного разряда высокой плотности для ионного или плазмохимического прецизионного травления тонких пленок, а также его использования для стимулированного плазмой осаждения тонких пленок. Книга рассчитана на специалистов, занимающихся исследованием, разработкой и изготовлением различных изделий электронной техники и нанотехнологии, совершенствованием технологии их производства и изготовлением специализированного оборудования. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.