Во второе издание справочника (1-е изд. вышло в в 1979 г.) включено около 230 марок антифрикционных, консервационных и уплотнительных пластичных смазок, выпускаемых в СССР. Для каждой смазки указаны состав, назначение, свойства, цена, основные характеристики в области применения; приведены рекомендации по взаимозаменяемости смазок. Даны сведения о производстве смазок, технической документации на них. Предназначен для специалистов всех отраслей народного хозяйства страны, занятых производством и применением смазок.

Представлены научные результаты международных научных исследований в области материаловедения, термической, химико-термической, лазерной технологий, литейного производства и порошковой металлургии. В сборник вошли работы ученых из Азербайджана, Армении, Белоруссии, Казахстана, Канады, России, Таджикистана, Узбекистана. Материалы сборника предназначены для научных, инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов, занимающихся исследованием проблем материаловедения и высокотемпературных технологий.

В настоящей книге представлен краткий обзор углеродсодержащих нанообъектов на основе графита и продуктов его модификации. Основное внимание уделено новому углеродному наноматериалу - графену. Описано, что именно понимают под термином "графен" в русской и зарубежной научной литературе, приведены основные методы получения графена, его физико-химические свойства, показана возможность получения композитов и соединений на основе графена, а также перечислены основные направления применения этого перспективного материала.

Представлены результаты комплекса работ Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН по разработке фотоприемных устройств на основе эпитаксиальной системы кадмий - ртуть - теллур (КРТ) от технологии молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) КРТ на подложках ориентации (301) из GaAs и Si и фотоприемных устройств (ФПУ) на основе эпитаксиального КРТ до создания оптико-электронных устройств на основе ФПУ ГЭС КРТ МЛЭ. В технологических разработках широко использована эллипсометрия для исследования процессов, происходящих на поверхности при МЛЭ КРТ, и для контроля in situ процесса роста слоев КРТ. Интенсивное применение сканирующих зондовых методов, таких как СТМ и АСМ, а также электронно-микроскопических методов ПЭМ и ВРЭМ, позволило получить новую информацию о процессах эпитаксиального роста и механизмах формирования прорастающих дефектов и антифазных доменов. Представлены результаты выращивания квантовых ям на основе КРТ. Книга представляет интерес для специалистов по полупроводниковому материаловедению и полупроводниковой фотоэлектронике.