За последние годы метод спектрофотометрии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) получил широкое распространение в практике научных исследований. В книге рассмотрены преимущества метода НПВО по сравнению с классическими методами пропускания и обычного отражения. Обсуждены возможности метода применительно к решению большого круга задач в области физики, химии, в различных областях техники, в биологии и т. д. Приводятся примеры как уже осуществленных, так и возможных приложений метода к изучению структуры поверхности массивных тел и тонких пленок, и в частности поверхностных свойств полупроводников. Рассмотрены приложения метода в области изучения полимеров, повеерхностных соединений, химических реакций, адгезии, адсорбции и т. д. Книга представляет большой интерес для специалистов-спектроскопистов, работающих в различных областях науки и техники, физиков, биологов.

Гетероорганические соединения имеют большое значение в современной химии и технологии, в том числе в химии и технологии нефти. Например, органические соединения, содержащие серу, азот и другие гетероатомы, существенно влияют на эксплуатационные свойства топлив, в частности реактивных и ракетных. Для идентификации и характеристики гетероорганических соединений особенно перспективно применение инфракрасной, ультрафиолетовой спектроскопии и рентгеностурктурного анализа. Атлас является итогом многолетней работы авторов в области изучения гетероорганических соединений. В нем содержится около 500 инфракрасных спектров и рентгенограмм серу-, азот- и кислородсодержащих органических веществ, из которых некоторые синтезированы впервые. Атлас предназначен для широкого круга научных работников - химиков и физиков, а также может быть полезным для преподавателей, аспирантов и студентов высших учебных заведений.

Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.