Образование и распад холодной ион-ионной плазмы элегаза и фтора: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / С. В. Костюченко ; науч. рук.: Э. И. Асиновский, Р. Х. Амиров, офиц. оппоненты: В. С. Воробьев, П. П. Барашев; Московский физико-технический институт (М.), Институт высоких температур АН СССР , Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина (М.). — М., 1987. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.

Формирующие устройства сильноточных ускорителей электронов и генераторы импульсных магнитных полей для релятивистской высокочастотной электроники: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Б. З. Мовшевич ; науч. рук. Г. А. Месяц, офиц. оппоненты: В. В. Кремнев, А. Г. Жерлицын; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт прикладной физики АН СССР (Горький), Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР (М.). — Томск, 1988. — 21 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-21.

Устойчивость самостоятельного электрического разряда накачки эксимерных лазеров: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / М. К. Макаров ; науч. рук. Ю. И. Бычков, офиц. оппоненты: В. В. Осипов, А. В. Козырев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт лазерной физики СО РАН (Новосибирск). — Томск, 1993. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Исследование, разработка и применение многоцелевых малогабаритных сильноточных генераторов нано- и субнаносекундного диапазонов длительностей: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / С. А. Шунайлов ; науч. рук.: В. Г. Шпак, М. И. Яландин, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, В. Ф. Тарасенко; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский государственный технический университет (Екатеринбург). — Екатеринбург, 1999. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-22.

Системы на основе несамостоятельных газовых разрядов низкого давления для генерации потоков ионов плазмы: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь; Институт сильноточной электроники СО РАН, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2011. — 30 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-30.