101 |
|
Энергетические характеристики и пространственная структура разрядов в смесях газов с HCl и SF6: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. Г. Ястремский ; науч. конс. Ю. И. Бычков, офиц. оппоненты: А. В. Козырев, В. В. Осипов, К. Н. Фирсов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт лазерной физики СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2008. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-33.
|
102 |
|
Гидродинамическая модель катодной плазменной струи вакуумно-дугового разряда: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / М. П. Луковникова ; науч. рук. И. А. Кринберг, офиц. оппоненты: А. В. Козырев, В. И. Орешкин; Иркутский государственный университет (Иркутск), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (СПб.), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Иркутск, 1999. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
103 |
|
Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 2001. — 186 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 170-183.
|
104 |
|
Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Семенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
105 |
|
Плазменные источники интенсивных электронных и ионных пучков на основе разрядов низкого давления с ненакаливаемым катодом в магнитном поле: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Е. М. Окс; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1994. — 271 с. — Для служебного пользования. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 251-271.
|