6 |
|
Исследуется роль поверхностного слоя в развитии пластической деформации на наноструктурном уровне в условиях динамического нагружения. Исследования проведены на основе компьютерного моделирования методом молекулярной динамики. Показано, что начало процесса локализации деформации непосредственно связано с потерей структурной устойчивости в поверхностных слоях, формированием зон локализации на поверхности и их распространением вглубь материала. Этому предшествуют рассогласованные смещения атомов в приповерхностных областях. Полученные результаты согласуются с известными экспериментальными данными и наглядно подтверждают особую роль поверхностного слоя в формировании и развитии процессов пластической деформации материалов.
|
7 |
|
Особенности неравновесных дефектных субструктур и поля локальных внутренних напряжений в наноструктурных состояниях, полученных методами интенсивной пластической деформации: научное издание / А. Н. Тюменцев, И. А. Дитенберг, А. В. Корзников; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск), Институт проблем сверхпластичности металлов РАН (Уфа) // Перспективные материалы. — 2009. — NСпец. вып. (7) . — С. 315-321. — ISSN 1028-978X.
Представлены результаты электронно-микроскопического исследования неравновесных структурных состояний с высокими значениями кривизны и градиентов кривизны кристаллической решетки. формирующихся в объемных наноструктурных металлических материалах, полученных методами интенсивной пластической деформации. Изложена методика их электронно-микроскопической аттестации, исследования внутренних напряжений и градиентов (моментов) этих напряжений, локализованных на субмикронном масштабном уровне. Предложена структурная модель этих состояний как состояний с высокой континуальной плотностью дефектов (дислокаций и дисклинаций) в объеме и на границах зерен.
|
8 |
|
Fundamental Role of Local Crystal Structure Curvature in Nonlinear Behavior of Solids in External Effective Fields: научное издание / В. Е. Панин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Physical Mesomechanics. — 2013. — ТомV.16, N4 . — С. 265-266. — ISSN 1029-9599.
|
9 |
|
Структура резонансов и локализации неупругих деформаций и повреждений в нагружаемых твердых телах и средах: научное издание / П. В. Макаров; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Физическая мезомеханика. — 2011. — Том14, N3 . — С. 111-123. — ISSN 1029-9599.
Представлен обзор основных понятий и некоторых результатов нелинейной динамики в связи с решением задачи о физических причинах и механизмах локализации деформационных процессов в нагружаемых твердых телах и средах и установления закономерностей нарастания масштабов локализации. Показано, что таким механизмом может быть структура устойчивых резонансов, которая формируется в нагружаемых твердых телах. Нагружаемое твердое тело рассматривается как система многих взаимодействующих атомов, возмущаемых внешним воздействием с непрерывным спектром частот. Ставится вопрос, какие частоты из этого непрерывного спектра будут отобраны возмущаемой нелинейной системой взаимодействующих атомов, т.е. окажутся наиболее устойчивыми. Анализ структуры резонансов выполнен в рамках подхода Гамильтона и теории Колмогорова-Арнольда-Мозера. Показано, что полученные нелинейной динамикой результаты полностью объясняют экспериментально установленную закономерность нарастания масштабов локализации, отвечающую универсальному принципу фрактальной делимости твердых тел и сред. Согласно этому принципу минимальным масштабом является параметр решетки нагружаемого тела, а каждый последующий масштаб есть сумма двух предыдущих.
|
10 |
|
Основы компьютерного моделирования наносистем: учебное пособие / И. М. Ибрагимов, А. Н. Ковшов, Ю. Ф. Назаров ; рец.: А. Л. Бучаченко, В. Ф. Разумов. — СПб.; М.; Краснодар: Лань, 2010. — 376 с.: ил.; 21 см. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — Библиогр.: с. 373-374. — ISBN 978-5-8114-1032-3: 640.00.
Представлены основные положения моделирования систем на различных иерархических уровнях строения вещества по схеме "снизу вверх" (атомная структура, молекулы, супрамолекулярные системы и нанокластеры) и рассмотрены взаимодействия частиц на таких уровнях. Систематизированы основные методы вычислительной нанотехноогии: квантовомеханические расчеты "из первых принципов" и методы, основанные на положениях молекулярной динамики и моделях Монте-Карло. Изложены способы молекулярной самосборки и методы многомасштабного моделирования материалов и процессов. Приведен обзор программного обеспечения моделирования наносистем. Для студентов вузов и специалистов в области вычислительной нанотехнологии.
|