Полупроводники: сб. науч. тр. / Рос. АН, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников; отв. ред. И. Г. Неизвестный. — Новосибирск: ИФП РАН, 1995. — 326 с.: ил. — ISBN 5-7623-1179-1: 10000.00.

Высокоэнергетическая электроника / Д. И. Вайсбурд [и др.] ; отв. ред. Д. И. Вайсбурд; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1982. — 224 с.: ил. — Библиогр.: с. 219-225. — 2.30.

Гетероструктура ZnS-GaAs: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Атакова ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1974. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Лупин ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: А. П. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1975. — 15 с. — Библиогр.: с. 14-15.

Введение в физику полупроводников: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Технология спец. материалов электронной техники" / В. И. Фистуль. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1984. — 352 с.: ил. — Алф. указ.: с. 343-345. — Библиогр.: с. 346-348. — 1.10.