| 61 |
|
Фазовые превращения и структура металлов и сплавов: сб. ст. / Уральский научный центр АН СССР. — Екатеринбург: УНЦ АН СССР, 1982. — [147] с. — 1.20.
Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований фазовых и структурных превращений в металлах и сплавах. Обсуждаются процессы пластической деформации и диффузии в металлических материалах, влияние гидростатического давления на их механическое поведение. Анализируются особенности тонкой структуры, дислокаций и точечных дефектов в металлах и сплавах и те изменения, которые они претерпевают в результате различных внешних воздействий. Рассматривается влияние фазовых и структурных превращений на формирование механических свойств сталей и сплавов. Сборник представляет интерес для исследователей, работающих в области физического материаловедения, фазовых превращений и диффузии прочности и пластичности, а также для специалистов смежных областей знания.
|
| 62 |
|
Радиационная стойкость гетероструктур AIGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / П. В. Рубанов ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. М. Зыков, А. П. Коханенко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2012. — 19 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.
|
| 63 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
|
| 64 |
|
Физика поверхности твердых тел: тезисы докладов Всесоюзного симпозиума / Всесоюзный симпозиум по физике поверхности твердых тел (ноябрь 1983 г. ; Киев) , Институт физики АН Украинской ССР (Киев), Научный совет по проблеме "Физическая электроника" АН СССР, Научный совет по проблеме "Физика, химия и механика поверхности" АН СССР. Всесоюзный симпозиум по физике поверхности твердых тел (ноябрь 1983 г. ; Киев) ; отв. ред. Ю. Г. Птушинский, ред.: А. Н. Алешин, П. Г. Борзяк, Ю. А. Кулюпин, А. Г. Паумовец, О. А. Панченко, А. Г. Федорус. — Киев: Наукова Думка, 1983. — 128 с. — 0.45.
Сборник содержит тезисы докладов всесоюзного симпозиума по физике поверхности твердых тел (Киев, ноябрь 1983 г.). Отражены результаты экспериментальных и теоретических исследований физических процессов на атомно-чистых поверхностях и на поверхностях, покрытых контролируемыми адсорбированными пленками. Рассмотрены вопросы атомной структур и электронных свойств поверхностей., фазовых переходов на поверхностях, кинетики процессов адсорбции и поверхностной диффузии, поверхностной ионизации. Для физиков.
|
| 65 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа.
:. — Львов, 1978. — 110 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.10.
|