| 1 |
|
Механизм проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками электронов: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. В. Бутков ; научный руководитель Д. И. Вайсбурд, научный руководитель В. А. Москалев; Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 1987. — 133 л.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 119-130.
|
| 2 |
|
Проводимость ионных кристаллов при импульсном облучении сверхплотными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. Г. Таванов ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Томск, 1980. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 3 |
|
Температурная зависимость проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении сильноточными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. А. Наминов ; науч рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: Э. Д. Алукер, В. С. Старцев; Уральский политехнический ин-т им. С. М. Кирова, Ин-т физики АН ЭССР. — М., 1982. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 4 |
|
Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Вайсбурд ; офиц. оппоненты: К. С. Александров, О. В. Богданкевич, Ч. Б. Лущик; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт физики твердого тела АН СССР (Черноголовка). — М., 1984. — 50 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 45-49.
|
| 5 |
|
Механизм электрической проводимости кристаллов NaBr и KBr, облученных рентгеновскими лучами: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. И. Галанов; Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 1986. — 164 л.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 131-161.
|