41 |
|
|
42 |
|
Наноструктурные покрытия и наноматериалы. Основы получения. Свойства. Области применения: особенности современного наноструктурного направления в нанотехнологии / Н. А. Азаренков, В. М. Береснев, А. Д. Погребняк [и др.]; М-во образования и науки, молодежи и спорта Украины, Харьк. нац. ун-т им. В. Н. Каразина, Сум. гос. ун-т. — М.: Либроком, 2012. — 366 с.: ил., табл. — Библиогр. в конце разд. — ISBN 978-5-397-02385-6: 410.40.
|
43 |
|
Нанотехнологии в электронике : сборник / под ред. Ю. А. Чаплыгина. — М.; : Техносфера.
:. — М.: Техносфера, 2013. — 686 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-353-0: 975.00.
Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.
|
44 |
|
Мезомеханика поведения тонких пленок Сu на подложке при однооосном растяжении и термическом отжиге. Многоуровневый подход: научное издание / А. В. Панин [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск) // Физическая мезомеханика. — 2005. — Том8, N4 . — С. 27-35. — ISSN 1029-9599.
С помощью сканирующей туннельной, атомно-силовой и растровой электронной микроскопии исследован характер пластической деформации и разрушения тонких пленок Сu на кремниевой и полипропиленовой подложках при термическом отжиге и одноосном растяжении. Механические характеристики исходных пленок определяли методом наноиндентирования. Показано, что на поверхности пленок Cu при одноосном растяжении возникает мезоструктура в виде переплетающихся мезополос, а при термическом отжиге — ячеистая мезоструктура. Установлена линейная зависимость геометрических параметров поверхностной мезоструктуры от толщины пленки. Полученные результаты хорошо согласуются с концепцией «шахматного» распределения напряжений на границе раздела «пленка – подложка» в многоуровневой модели деформируемого твердого тела.
|
45 |
|
Методами атомно-силовой и просвечивающей электронной микроскопии исследованы морфология поверхности и структура тонких пленок двуокиси кремния, нитрид бора, а также их двухслойной композиции. Пленки наносились методом газофазного химического осаждения по подложки GaAs. Показано, что температура подложки оказывает существенное влияние на рельеф поверхности и внутреннюю микроструктуру диэлектрических пленок. Слои, нанесенные при 473К, имеют аморфное строение с кристаллическими включенииями, а при 573К и выше являются нанокристаллическими. Усатновлено качественное соответствие между морфологией поверхности и структурой исследованных пленок.
|