Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 96 - 100 из 1670 для dc.subject any/relevant "НАМОТОЧНЫЕ УЗЛЫ ... ( 0.207 сек.)

96
Физические основы полупроводниковой электроники: посвящается памяти В. Е. Лашкарева / АН УССР, Институт полупроводников; под общ. ред. О. В. Снитко. — Киев: Наукова думка, 1985. — 302 с.: ил. — Библиогр.: с. 269-302. — 3.80.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
97
Квасков, Валерий Борисович.
Полупроводниковые приборы с биполярной проводимостью / В. Б. Квасков. — М.: Энергоатомиздат, 1988. — 127 с.: ил. — Библиогр.: с. 124-126. — ISBN 5-283-00567-4: 0.40.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
98
Шефтель, Иосиф Теодорович.
Терморезисторы: Электропроводность 3d-окислов. Параметры, характеристики и области применения / И. Т. Шефтель. — М.: Наука, 1973. — 415 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 397-415. — 1.61.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
99
Гуртов, Валерий Алексеевич.
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
100
Куэй, Рюдигер.
Электроника на основе нитрида галлия / Р. Куэй ; пер. с англ. Ю. А. Когцевого, Е. А. Митрофанова ; под ред. А. Г. Васильева. — М.: Техносфера, 2011. — 587 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Предм. указ.: с. 578-587. — Библиогр.: с. 561-577. — ISBN 978-5-94836-296-0: 1011.22.
Представленный в книге аналитический обзор охватывает свыше 1750 работ, посвященных III-N полупроводникам, которые применяются для создания транзисторов и радиоэлектронных устройств большой мощности, работающих в СВЧ диапазоне частот. Рассмотрены материалы, приборы, их технология, моделирование, проблемы надежности и применения. Книга представляет большой интерес для студентов, аспирантов, инженеров, разработчиков приборов и соответствующей аппаратуры.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи