1 |
|
Исследовано влияние облучения пучком ионов Al++B+ на структурно-фазовое состояние, химический состав, нанотвердость и износостойкость TiN покрытий. Установлено, что ионное облучение повышает износостойкость покрытий в 4 раза, а нанотвердость - в 1,6 раза. Изменение свойств связывается с радиационно-стимулированным выделением высокодисперсных боридных и нитридных фаз. изменением среднего размера и преимущественной ориентации зерен основной фазы.
|
2 |
|
Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук.: С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 173 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 163-172.
|
3 |
|
Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук. С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты: Н. Н. Коваль, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.). — Томск, 2001. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
4 |
|
Структурно-фазовые состояния поверхностных слоев никелида титана с покрытиями из молибдена и тантала, полученными магнетронным осаждением и модифицированными ионными пучками: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. Г. Дементьева ; науч. рук. Л. Л. Мейснер; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2010. — 195 л.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 172-195.
|
5 |
|
Закономерности изменения неупругих свойств сплава Ti49.5Ni50.5 после магнетронного осаждения и ионной модификации покрытий из молибдена и тантала на его поверхности: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / А. А. Нейман ; науч. рук. Л. Л. Мейснер, оппоненты: С. Ф. Гнюсов, Г. П. Бакач; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), НГТУ. — Томск, 2010. — 18 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.
|